半導體管特性圖示儀 型號： QT-2A 

QT-2A半導體管特性圖示儀可根據(jù)需要測量半導體二管、三管的低頻直流參數(shù)，大集電電流可達50A， 
   基本滿足功率500W以下的半導體管的測試。 
* 本儀器還附有的測試裝置，可對5000V以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試， 
   其測試電流高靈敏度達到0.5uA/度。 
* 本儀器所提供的基階梯信號還具有脈沖階梯輸出，因此可擴大測量范圍及對二次擊穿特性的測量。 
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)， -6V～+6V連續(xù)可調。特別適宜大功率VMOS管測試。 

1. 集電電流偏轉系數(shù) 
  a)  集電電流范圍(Ic)： 1μA/度～/度。按1、2、5進制分21檔級，各檔誤差不大于3％。 
  b)  二管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進制分9檔，各檔誤差不大于3％。 
  c)  集電電流及二管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。 
  d)  基電流或基源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。 
 2. 集電電壓偏轉系數(shù) 
  a)  集電電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進制分21檔級，各檔誤差不大于3％。 
  b)  二管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進制分3檔級，各檔誤差不大于10％。 
  c)  基電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進制分7檔級，各檔誤差不大于3％。 
 d)  基電流或基源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。 
 3. 基階梯信號 
  a)  階梯電流范圍(IB)： 10uA/度～200mA/度。按1、2、5進制分17檔級，各檔誤差不大于5％。 
  b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進制分5檔級，各檔誤差不大于5％。 
  c) 串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。 
d) 階梯波形：分正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調節(jié)范圍為10～40%。 
e) 每簇級數(shù)：0～10級，連續(xù)可調。 
f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調。 
g) 階梯作用：分重復、關、單次三檔級。 
h) 階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級。 
i) 階梯性：分正、負二檔。 
 4. 集電掃描電壓 
  a)  輸出電壓與檔級： 0～10V    正或負連續(xù)可調 
                                 0～50V    正或負連續(xù)可調 
                                 0～50V    正或負連續(xù)可調 
                                 0～100V   正或負連續(xù)可調 
                                 0～500V   正或負連續(xù)可調 
b)  輸出電流容量：     0～10V    50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時） 
                     0～10V    20A（平均值） 
                     0～50V    10A（平均值） 
                     0～100V    （平均值） 
                     0～500V   0.（平均值） 
 c)  功耗限制電阻：    0～500KΩ  按1、2、5進制分20檔級，各檔誤差不大于10％。 
 d)   整流方式：       全波 
e)  輸出性：     ＋，－ 
f)  集電容性電流； 平衡后不過2uA（10V檔） 
g)  集電漏電流；    平衡后不過2uA（10V檔） 
 5. 二管測試裝置 
a)         輸出電壓：       0～5000V    正向連續(xù)可調 
b)         輸出電流容量：   大為5mA 
c)         整流方式：       半波 
6. 其他 
a)   適配器       
          測試座、三管測試座、 功率三管測試座 
b)   重量   約30kg。 
c)   外形尺寸 
    300mm×408mm×520mm（W×H×D）。 
d)  功耗：    非測試狀態(tài)時： 約80VA； 
             大功率時：   約300VA。 
e)   輸入電壓：   220V±10％； 
f)   頻率：       50HZ±5％。 
g)   示波管：     15SJ118-DC     有效工作面8×10cm。 
h)  電磁兼容性 
       傳導干擾應符合GB/T 6833.9中第1章的要求。 
       輻射干擾應符合GB/T 6833.10中第1章的要求。 
       環(huán)境應符合GB/T 6587.1中Ⅱ級儀器的規(guī)定，運輸試驗按2級。